陶瓷覆銅基板作為電力模塊中半導(dǎo)體的電路材料，連接多個(gè)功率部件，提供所需的電氣、熱力、化學(xué)和機(jī)械功能，使半導(dǎo)體的熱量有效消散，并延長(zhǎng)模塊的使用壽命。

  與DBC陶瓷基板相比，AMB陶瓷基板具有更高的結(jié)合強(qiáng)度和冷熱循環(huán)特性。目前，隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，高鐵上的大功率器件控制模塊對(duì)IGBT模塊封裝的關(guān)鍵材料——陶瓷覆銅板形成巨大需求，尤其是AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用。 

  威斯派爾采用活性金屬焊接工藝制備出了氮化硅陶瓷覆銅基板，其耐溫度循環(huán)（-40~125℃）達(dá)到5000次，可承載大于300A的電流，已用于電動(dòng)汽車(chē)、航空航天等領(lǐng)域。該產(chǎn)品采用活性金屬焊接工藝將多層無(wú)氧銅與氮化硅陶瓷鍵合，同時(shí)采用銅柱焊接實(shí)現(xiàn)垂直互聯(lián)，對(duì)IGBT模塊及SiC模塊小型化、高可靠性等要求有較好的促進(jìn)作用。另外，在大功率電力半導(dǎo)體模塊、高頻開(kāi)關(guān)、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車(chē)、動(dòng)力機(jī)車(chē)、航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域取得了進(jìn)展。

  AMB基板是靠陶瓷與活性金屬焊膏在高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)結(jié)合，因此其結(jié)合強(qiáng)度更高，可靠性更好。但是由于該方法成本較高、合適的焊料較少、焊料對(duì)于焊接的可靠性影響較大，只有少數(shù)美日中幾家公司掌握了核心的高可靠活性金屬焊接技術(shù)。

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